技術參數：

• Ic(A),Tc=80℃          600

• Vces(V)               1700

• 封裝                  EconoDual3

• 電路結構               半橋

性能概要：

• 采用第四代溝槽柵/場終止IGBT4和發射極控制二極管 帶有溫度檢測NTC

電氣特性：

• 高電流密度

• 低Vceast

• Tvj op=150℃

• Vceast帶正溫度系數

機械特性：

• 高功率密度

• 絕緣的基板

• 標準封裝

典型應用：

• 大功率變流器

• 風力發電機